由于热阻随IGBT安装位置的不同而不同，因此，若在散热器上仅安装一个IGBT时，应将其安装在正中间，以便使得热阻最小;当要安装几个IGBT时，应根据每个IGBT的发热情况留出相应的空间; 使用带纹路的散热器时，应将IGBT较宽的方向顺着散热器的纹路，以减少散热器的变形;散热器的安装表面光洁度应≤10μm，如果散热器的表面不平，将大大增加散热器与器件的接触热阻，甚至在IGBT的管芯和管壳之间的衬底上产生很大的张力，损坏IGBT的绝缘层;为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。为IGBT散热器设计保护时需要注意的问题:

　　1.IGBT栅极的保护

　　2.集电极与发射极间的过压保护

　　过电压的产生主要有两种情况，一种是施加到IGBT集电极-发射极间的直流电压过高，另一种为集电极-发射极上的浪涌电压过高。

　　(1)直流过电压

　　直流过压产生的原因是由于输入交流电源或IGBT的前一级输入发生异常所致。解决的办法是在选取IGBT时，进行降额设计;另外，可在检测出这一过压时分断IGBT的输入，保证IGBT的安全。

　　(2)浪涌电压的保护

　　因为电路中分布电感的存在，加之IGBT的开关速度较高，当IGBT关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时，就会产生很大的浪涌电压Ldi/dt，威胁IGBT的安全。

　　3.集电极电流过流保护

　　对IGBT的过流保护，主要有3种方法。

　　(1)用电阻或电流互感器检测过流进行保护

　　(2)由IGBT的VCE(sat)检测过流进行保护

　　(3)检测负载电流进行保护

　　(4)过热保护

　　一般情况下流过IGBT的电流较大，开关频率较高，故而器件的损耗也比较大，如果热量不能及时散掉，使得器件的结温Tj超过Tjmax，则IGBT可能损坏。

　　IGBT的功耗包括稳态功耗和动态动耗，其动态功耗又包括开通功耗和关断功耗。在进行热设计时，不仅要保证其在正常工作时能够充分散热，而且还要保证其在发生短时过载时，IGBT的结温也不超过Tjmax。

　　当然，受设备的体积和重量等的限制以及性价比的考虑，散热系统也不可能无限制地扩大。可在靠近IGBT处加装一温度继电器等，检测IGBT的工作温度。控制执行机构在发生异常时切断IGBT的输入，保护其安全。

　　若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

　　由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：

　　——IGBT栅极与发射极之间的电压;

　　——IGBT集电极与发射极之间的电压;

　　——流过IGBT集电极-发射极的电流;

　　——IGBT的结温。

　　如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压，流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。